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Sandisk anuncia la producción en masa de la memoria flash nand de 43 nanómetros

SanDisk Corporation anunció la introducción de la memoria flash Multi-Level (MLC) NAND que utiliza la tecnología de procesos de 43 nanómetros (nm), reduciendo así el costo de los dados al tiempo que conserva el desempeño y la confiabilidad.

SanDisk planea comenzar a distribuir productos en el segundo trimestre de 2008 usando la densidad de memoria flash MLC NAND de un solo chip más alta de la industria. La distribución comenzará con 16GB y le seguirá la de 32GB en la segunda mitad de 2008.

“Estamos entusiasmados por comenzar a producir la generación de memoria flash MLC NAND de 43nm que logrará reducciones significativas de los costos”, aseguró el Dr. Randhir Thakur, vicepresidente ejecutivo de tecnología y operaciones mundiales de SanDisk. “Las características de la tecnología incluyen la arquitectura All Bit Line (ABL) de SanDisk con algoritmos eficientes de programación y tamaño de páginas de 8 kilobytes (KB), lo que ofrece capacidades de alto desempeño. La litografía avanzada, otras innovaciones en la tecnología de procesos y la primera arquitectura de 64 NAND de la industria ofrecen un menor costo por megabyte y un excelente desempeño. La generación de la tecnología de 43nm será nuestro principal enfoque durante 2008 así como continuar ofreciendo tecnología de punta y menores costos a nuestros clientes”, agregó.

SanDisk y Toshiba presentaron un documento sobre la memoria flash NAND de 43nm y 16GB durante la 2008 International Solid State Circuits Conference (ISSCC), en el que resaltaban los avances técnicos.

Siguiendo su liderazgo en el desarrollo y fabricación de tecnología flash NAND avanzada, SanDisk ha iniciado la transición a la fabricación de 43nm en Yokkaichi Operations de Toshiba en Nagoya, Japón. SanDisk y Toshiba comparten la producción de la planta de Yakkaichi y han desarrollado muchos de los diseños y tecnologías de flash MLC NAND. El nuevo flash de 43nm se producirá inicialmente en Fab 4, la nueva planta de obleas de 300mm que SanDisk y Toshiba abrieron recientemente. Se espera que en la segunda mitad de 2008, Fab 3 también haga la transición a 43nm.

También se espera que la generación de flash NAND en combinación con la innovación en sistemas y los controladores propietarios de SanDisk permita que los mercados emergentes como los de Solid State Drives (SSDs) y NAND administrado como iNAND, amplíen las capacidades de almacenamiento flash del mercado móvil y eleven nuestro liderazgo en líneas de productos de alto desempeño.

-Por PC World LA

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